Copyright © 2012 by "Elsnab" Ltd  ·  All Rights reserved
компания "Элснаб"
220021, Республика Беларусь, г. Минск, ул. Украинская, 8.

отдел генераторных ламп:
+375-17 273-87-99
отдел силовых приборов:
+375-17 273-27-99
отдел общей комплектации:
+375-17 273-68-57
Каталог продукции
>Каталог>модули: гибридные; с оптической развязкой; транзисторные>модуль FF300R12KE3G
FF300R12KE3G модуль на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A

Изготовитель:  Infineon
Конфигурация: 2 транзистора
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 300 A
Максимальный импульсный ток:                        600 А
Ток утечки затвор-эмиттер:                    400 nA
Рассеяние мощности:                           1450 W
Максимальная рабочая температура:    + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Вид монтажа: Screw